| 《半导体器件原理》——复旦大学2007年硕士研究生入学考试专业课大纲 |
| 2006-8-14 14:18:26 复旦大学 考研共济网 |
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复旦大学2007年入学研究生济
《
半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
kaoyantj
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参考书：黄均鼐等，双极型与MOS半导体器件原理，复旦大学出版社研
曾树荣，半导体器件物理基础（第1、2、3、5章），北京大学出版社共
考试题型：名词解释、推导题、计算题3362 3039
总分：150分课
一．半导体的电子状态48号
1. 半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质
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2. 半导体中的电子状态和能带同济
4. 杂质和缺陷能级共济
二．半导体的载流子统计专
2. 本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计kaoyangj
三．半导体的载流子输运院
1. 载流子的散射业
2. 迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系kaoyantj
3. 强电场下的输运共济
四．非平衡载流子
1. 非平衡载流子的直接复合与间接复合
2. 陷阱效应
3. 载流子的扩散运动、双极扩散
4. 连续性方程
五．pn结、金半接触以及异质结
1. 平衡pn结的特性
2. pn结的电流-电压特性
3. pn结的势垒电容与扩散电容
4. pn结的开关特性
5. pn结的击穿
6. 金半接触能带图以及电流-电压特性
7. 欧姆接触
8. 异质结能带图以及二维电子气
六．双极型晶体管的直流特性
1. 双极型晶体管的基本原理
2. 双极型晶体管的直流特性及其非理想现象
3 漂移晶体管的直流特性
4. 双极型晶体管的反向特性
5. Ebers-Moll方程
七．双极型晶体管的频率特性与开关特性
1. 低频小信号等效电路
2. 放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数
3. 高频等效电路
4 漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理
5. 电荷控制理论与双极型晶体管开关时间
八．半导体表面与MOS结构
1. 半导体表面空间电荷层的性质
2. 实际 Si-SiO2界面
3. 理想与实际MOS结构的C-V特性
九．MOS场效应晶体管的直流特性
1. MOS FET的结构和工作原理
2. MOS FET的阈值电压以及影响因素
3. MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）
4. MOSFET的直流参数
5. MOSFET的击穿特性
6. MOSFET 的小尺寸效应原理
7. 载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性
8. MOSFET的按比例缩小规律
十．MOSFET的频率特性与开关特性
1. MOSFET的交流小信号等效电路
2. MOSFET的高频特性
3. 常见MOS倒相器及其开关特性
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